Aluminiumnitrid (ALN) ist eine neue Art von Keramikmaterial mit hervorragenden umfassenden Eigenschaften. Es weist eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit, eine zuverlässige elektrische Isolierung, eine niedrige Dielektrizitätskonstante und den dielektrischen Verlust, ungiften und einen mit Silizium kompatibelen Wärmeerweiterungskoeffizienten auf. Die Reihe hervorragender Merkmale gelten als ideale Materialien für hochkonzentrierte Halbleitersubstrate und Glaskeramikbalken für elektronische Geräte.
Die thermische Leitfähigkeit von Aluminiumnitrid beträgt das 5- bis 10 -fache des traditionellen Substratmaterial -Aluminiumoxids, das nahe an der thermischen Leitfähigkeit von Berylliumoxid liegt. Die thermische Leitfähigkeit von Al2O3 -Substraten ist gering und der thermische Expansionskoeffizient ist nicht sehr kompatibel mit Si. Obwohl Beo eine hervorragende umfassende Leistung hat, begrenzen seine höheren Produktionskosten und hochgiftige Mängel die Anwendung und die Werbung. Im Vergleich zu mehreren anderen Keramikmaterialien weisen Aluminiumnitridkeramiken hervorragende umfassende Eigenschaften auf und eignen sich sehr für Halbleitersubstrate und Strukturverpackungen. Das Potenzial von Materialien in der Elektronikindustrie ist enorm.
Hard Precision Ceramic, Advanced Ceramics Division ist ein führender Anbieter von Keramikmaterialien. Wir liefern Aluminiumnitrid -Keramikprodukte mit hervorragenden Spezifikationen und Wettbewerbspreisen.
Aluminiumnitrid ist ein Keramikmaterial mit hervorragender Gesamtleistung des maschinenbaren Keramikflansches, und seine thermische Leitfähigkeit ist 7 -mal höher als die Aluminiumoxidkeramik. Gleichzeitig weist es eine niedrige dielektrische konstante, ausgezeichnete elektrische Eigenschaften im Vergleich zu Aluminiumoxid, thermischer Expansionsrate auf, ähnlich Silizium, hoher spezifischer Festigkeit, niedriger Dichte, ungiftiger und anderer Eigenschaften. Aufgrund der Entwicklung der Mikroelektronik-Technologie konzentrieren sich elektronische Komponenten auf Miniaturisierung, Leichtigkeit, Integration, hohe Zuverlässigkeit, Hochleistungsleistung usw. mehr komplexere Geräte haben höhere Anforderungen an die Wärmeabgabe von Substraten und Einkapselungsmaterialien. Diese Situation fördert ferner die blühende Entwicklung des Ain -Keramik -Substrats. Der folgende Artikel führt den Prozess der AIN -Substrate von Pulver zu Bildung zur Beendigung der Anwendung ein.
Während der Herstellung von Aluminium -Nitridpulver sind seine Reinheit, Partikelgröße, Sauerstoffgehalt und andere Verunreinigungsgehalt die Auswirkungsfaktoren für die anschließende thermische Leitfähigkeit des Produkts sowie anschließende Sintern- und Bildungsprozesse und sind auch Schlüsselfaktoren in der Leistung des Endprodukts. Ain Pulver wird durch direkte Nitring-Methode, Methode zur Kohlenstoffthermiereduktion, selbstpropagierende Hochtemperatur-Synthesemethode, chemische Dampfabscheidungsmethode usw. synthetisiert IS, die Mischung aus Aluminiumoxidpulver und Kohlenstoffpulver wird im fließenden Stickstoff bei hoher Temperatur (1400 ° ~ 1800 ℃) auf Nitrid reduziert, um Ain -Pulver zu bilden.
1. Heißdruckssintern: Das heißt, das Sintern der Keramik unter einem bestimmten Druck, können Sie gleichzeitig das Sintern und die Druckbildung erhitzen, um feines Getreide, hohe relative Dichte und gute mechanische Eigenschaften der Keramik zu erhalten.
2. Druckfreies Sintern: Der allgemeine Temperaturbereich des atmosphärischen Druckssinterns Ain Ceramics beträgt 1600-2000 ℃. Die angemessene Erhöhung der Sintertemperatur und die Verlängerung der Haltezeit kann die Dichte der Ain -Keramik verbessern, aber die Festigkeit ist relativ niedrig.
3. Mikrowellensintern: Das Mikrowellensintern ist auch eine schnelle Sintermethode, die Verwendung der Mikrowellenwechselwirkung mit dem Medium, um einen dielektrischen Verlust zu erzeugen, damit die Gesamtwärme.
4. Entladung von Plasma -Sintering: Integration maschinenabler Glaskeramik -Stab -Plasma -Aktivierung, heißer Presse, Widerstandserwärmung und anderer Technologien. Es hat die Eigenschaften einer schnellen Sintergeschwindigkeit und einer gleichmäßigen Korngröße, aber die Ausrüstungskosten sind hoch und die Größe des Verarbeiteten Werkstück ist begrenzt.
5. Selbstropagationsintern: #Anain- Keramikmaterialien werden direkt durch Selbstpropagation mit hoher Temperatur-Synthesereaktion unter ultrahochem Druckstickstoff hergestellt. Es ist jedoch schwierig, Aln-Keramik-Substrate mit hoher Dichte zu erhalten, da das Aluminiumnitrid im Rohstoff unter der Hochtemperaturverbrennungsreaktion tendenziell schmilzt, was die Eindringen von Stickstoff in den Bühne behindert.
Um ein dichtes Sintern des #Alnceramicsubstrates zu erreichen, Verunreinigungen und Korngrenzephasengehalt zu reduzieren, den Prozess zu vereinfachen und die Kosten zu senken, erfordert der Aln -Keramik -Sinterprozess drei Kernelemente: 1. Auswahl eines geeigneten Sinterprozesses; 2. Atmosphärekontrolle; und 3. Zugabe von geeigneten Sinterhilfen.
